宜特科技（3289）正式啟動(dòng)次2奈米世代 ALD（Atomic Layer Deposition，原子層沉積）新材料選材與驗(yàn)證服務(wù)，進(jìn)一步延伸至化學(xué)材料端的選材、鍍膜測(cè)試與品質(zhì)確認(rèn)。此舉使宜特不僅扮演晶片驗(yàn)證夥伴，更成為材料廠商開發(fā)新配方的關(guān)鍵加速器。
 |
| 宜特正式啟動(dòng)次2奈米世代新材料選材與驗(yàn)證服務(wù) |
宜特觀察發(fā)現(xiàn)，晶圓代工大廠、IDM廠在今年下半年，陸續(xù)在2奈米、18A進(jìn)入量產(chǎn)，均屬立體電晶體架構(gòu)，對(duì)ALD設(shè)備與新材料需求大幅擴(kuò)張。如何在復(fù)雜3D結(jié)構(gòu)中均勻鍍膜，是最困難的一環(huán)。傳統(tǒng)CVD與PVD（物理氣相沉積）在3D結(jié)構(gòu)上均有限制。以PVD為例，透過蒸鍍或?yàn)R鍍方式，往往無法覆蓋內(nèi)部深層區(qū)域；CVD則因氣體反應(yīng)速率過快，容易導(dǎo)致薄膜厚度不均。
相較之下，ALD 技術(shù)以「原子層逐層沉積」可精準(zhǔn)控制膜厚，及其生成的薄膜具高均勻度及覆蓋性優(yōu)異，被視為2奈米後之先進(jìn)制程不可或缺的關(guān)鍵技術(shù)。但ALD沉積速度慢、叁數(shù)復(fù)雜，及其新材料反應(yīng)條件的掌握尤為嚴(yán)苛。宜特推進(jìn)ALD新材料驗(yàn)證平臺(tái)，可協(xié)助材料商在開發(fā)階段完成鍍膜實(shí)驗(yàn)，快速評(píng)估新材料薄膜的品質(zhì)與一致性，縮短客戶開發(fā)周期。
目前業(yè)界ALD於制程段可用於制造高介電薄膜及相關(guān)先進(jìn)電晶體(例如GAA/CFET)；而另外將ALD應(yīng)用於試片制備時(shí)的保護(hù)層以避免樣品損傷，這已是在TEM分析上的常規(guī)作法。然而，宜特的ALD能力并不僅止於此，而是進(jìn)一步串接「材料選擇 ← 鍍膜制程 ← 薄膜分析 ← 制程驗(yàn)證」，協(xié)助化學(xué)材料商、晶片制造商與設(shè)備供應(yīng)商完成新材料驗(yàn)證與最隹化，提供更完整的產(chǎn)業(yè)鏈「材料端至晶片端」之間的分析驗(yàn)證。
宜特表示，未來半導(dǎo)體的突破不僅來自制程微縮，更仰賴新材料的導(dǎo)入。宜特藉由 ALD 新材料驗(yàn)證，將協(xié)助材料與設(shè)備供應(yīng)鏈加速定義下一世代標(biāo)準(zhǔn)，成為推動(dòng)次 2 奈米世代後的關(guān)鍵力量。
隨著半導(dǎo)體進(jìn)入新材料時(shí)代，宜特透過ALD新材料驗(yàn)證平臺(tái)服務(wù)，將持續(xù)拓展「晶片驗(yàn)證 + 新材料驗(yàn)證」雙軌成長(zhǎng)曲線，為客戶提供差異化解決方案，亦將成為推動(dòng)宜特後續(xù)營(yíng)運(yùn)新引擎。
關(guān)於宜特科技
始創(chuàng)於1994年，iST宜特從 IC 線路除錯(cuò)及修改起家，逐年拓展新服務(wù)，包括故障分析、可靠度驗(yàn)證、材料分析等，建構(gòu)完整驗(yàn)證與分析工程平臺(tái)與全方位服務(wù)。客群囊括電子產(chǎn)業(yè)上游 IC 設(shè)計(jì)至中下游成品端，并建置車用電子驗(yàn)證平臺(tái)、高速傳輸訊號(hào)測(cè)試。更多訊息請(qǐng)上官網(wǎng) < >http://www.istgroup.com
相關(guān)作者
相關(guān)產(chǎn)業(yè)類別
相關(guān)網(wǎng)站單元